sudo apt-get -o Acquire::https::proxy="http://127.0.0.1:8899/" install
在.bashrc中加入两行:
export http_proxy='http://127.0.0.1:8899' export https_proxy='http://127.0.0.1:8899'
然后在命令行中测试是否访问
wget www.google.com
在/proc/cpuinfo中无法看到CPU的序列号，使用dmicode -t processor可以看到Serial Number。可是字符串和CPU原厂提供的序列号是不一样的，内容/格式和长度。还得花点时间研究。还遇到一个问题，服务器扩展槽有三个PCIE，最下面的是双口万兆网卡，中间是一张HBA卡。单CPU启动后，无法识别到中间槽位的HBA卡，可以识别到网卡；将HBA卡换到网卡槽位，可以被识别。折腾了半天，发现是这块双路主板要上满两颗CPU才能识别到所有的PCIE。虽然问题解决了，但是我还是有些想不明白为什么会这样。或许因为这是一款定制的主板，在硬件使用上做了某些条件设定？
很久没有实操了，下午尝试在一台服务器上CPU，参考这个教程。差不多有十多年没有打过散热膏，而且CPU散热器也不能用十字口螺丝刀。第一次开机后，通电30秒峰山狂转后夏然而止，机器自动断电。排除是CPU不兼容的原因，买了新螺丝刀把散热器打紧，这次不会开半分钟自动断电，而是不停报警。根据用户手册调整内存的位置，服务器就启动了。用的VGA线有问题，显示器整个屏幕都是绿油油的，排除了显示器借口的原因，换了一条新的VGA线就解决了。多年没有下场，手有些生疏了，但是经验还在，方法论还在。挺有意思的，比整天做一些虚假迎合的事情要开心多了。
1. iostat,里面的 iowait 太高通常就出问题了。通常偏离正常值太多，而且和故障出现关联就可以怀疑了。和已知的性能极值接近，且其 mem/cpu 占用较低。“瓶颈”是：性能不满足于需求，且处于最弱一环。如果按照这个定义来说，脱离需求谈瓶颈没啥意义。iostat里看%util磁盘使用率，值越低表示磁盘活动越闲，当值非常大，达到90以上时，建议不要操作了，应该等一等，不然会很卡。
2. 看r/w 速度(这个和是ssd还是hdd有关)，util，如果cpu 小于70～80，util 大于20~30，峰值可以到100，基本上就可以确定磁盘瓶颈了。可以用iotop看谁在写磁盘，lsof看在写什么文件，blktrace看到具体io操作。
3.当服务器系统性能突然低于平均应有的情况，问题可能来自在执行的进程、内存的使用率、磁盘的性能、网络流量和CPU 的压力。在预算短缺的今天，理解如何优化系统性能比以往任何时候都重要。 要实现它的前提是，你必须充分了解自己的计算机和网络，从而找到真正的瓶颈所在。
工作过程是：首先查看整个系统的状态，然后是检查特定的子系统。 Linux服务器进行性能监控有几种方法，每种方法都各有其优缺点。
使用SNMP等标准工具
标准及非标准工具能执行一个或多个收集、合并及传输阶段，如rstatd或SNMP工具，然而标准的rstat后台程序提供的信息是有限的，速度慢而且效率低。
内核模块
几个系统监控工程利用内核模块来存取监控数据。一般情况下，这是很有效的收集系统数据的方法。然而这种方法存在的问题是，当主内核源内有其它改变时，必须保持代码一致性。一个内核模块可能与用户想使用的其它内核模块相冲突。此外，在使用监控系统之前，用户必须获得或申请模块。
/proc虚拟文件系统
/proc虚拟文件系统是一个较快的、高效率执行系统监控的方法。使用/proc的主要缺点是必须保持代码分析与/proc 文件格式改变的同步。事实表明，Linux内核的改变比/proc 文件格式的改变要更频繁，所以，用/proc虚拟文件系统比用内核模块存在的问题要少。 /proc文件系统特点 Linux 系统向管理员提供了非常好的方法，使他们可以在系统运行时更改内核，而不需要重新引导内核系统。这是通过 /proc 虚拟文件系统实现的。/proc 文件虚拟系统是一种内核和内核模块用来向进程 (process) 发送信息的机制 (所以叫做 /proc)。这个伪文件系统让你可以和内核内部数据结构进行交互，获取 有关进程的有用信息，在运行中 (on the fly) 改变设置 (通过改变内核参数)。 与其他文件系统不同，/proc 存在于内存之中而不是硬盘上。不用重新启动而去看 CMOS ，就可以知道系统信息。这就是 /proc 的妙处之一。每个Linux系统根据软硬件不同/proc 虚拟文件系统的内容也有些差异。/proc 虚拟文件系统有三个很重要的目录：net，scsi和sys。Sys目录是可写的，可以通过它来访问或修改内核的参数，而net和scsi则依赖于内核配置。
The first computer was designed by the English mathematician Charles Babbage. Charles Babbage wanted to build a machine called “analytical engine” .He asked Ada who was the daughter of the famed English poet Load Byron to write software for his machine. Ada was the world’s first programmer. During the World War II, the computer industry grew very fast. Both American/British and Germany tried to make powerful computer that was used to decoded. They used Vacuum tubes or electromechanical relays. There were only machine language and even a plugboard which was wired with many electrical circuits. The operator put the plugboard in the computer and waiting for output. Later, plugboard was replaced by punched cards. The programmer wrote the code and then punch the card, go to the computer room and gave the cards to operator. The operator put the punched cards to computer, and choose the related compiled board, run the program, print the result to the programmer who was always waiting for a moment. In 1950s, with the introduction of transistors, computer became more reliable. These machines, now were called mainframes. The program had to wait for its former program was finished, while it caused a large of wasted time. In order to increase rate, the resolution was batch system. There were three computers, one IBM 9402 and two IBM 7401. IBM 7401 was character-oriented. It reads the punched cards provided by programmer, and write to a Tape. Then when written-in jobs were full, unload the tape and mount it at IBM 9402 which was word-oriented for scientific calculating, 9402 would execute the code and write the output to a new tape. Unload the new tape and mount it at another 7401, printed the result. Later, people wanted to take the advantage of both 7401 and 9402. IBM made the System/360 series computer that were very successful.The IBM 360 was the first major computer line to use ICs（Integrated Circuites).
原文链接: https://www.analog.com/cn/analog-dialogue/raqs/raq-issue-130.html#
有时候器件是”寿终正寝”，有时候是存在压力但不明显。
器件的”寿终正寝”是一种源于物理或化学变化的累积性衰退效应。大家都知道，电解电容和某些类型的薄膜电容”终有一死”，原因是在微量杂质（氧气等）和电压力的共同作用下，其电介质会发生化学反应。集成电路结构遵循摩尔定律，变得越来越小，正常工作温度下的掺杂物迁移导致器件在数十年（而非原来的数百年）内失效的风险在提高。另外，磁致伸缩(磁致伸缩是指物体在磁场中磁化时，在磁化方向会发生伸长或缩短)引发的疲劳会使电感发生机械疲劳，这是一种广为人知的效应。某些类型的电阻材料会在空气中缓慢氧化，当空气变得更为潮湿时，氧化速度会加快。同样，没有人会期望电池永远有效。
因此，在选择器件时，有必要了解其结构和可能的老化相关失效机制；即使在理想条件下使用器件，这些机制也可能发生影响。本栏目不会详细讨论失效机制，但多数声誉良好的制造商会关注其产品的老化现象，对工作寿命和潜在失效机制通常都很熟悉。许多系统制造商针对其产品的安全工作寿命及其限制机制提供了相关资料。
然而，在适当的工作条件下，大多数电子器件的预期寿命可达数十年，甚至更长，但有些仍会过早失效。原因常常是不被人注意的压力。
在这个”非常见问题解答”栏目中，我们不断地提醒读者：一个引用墨菲定律的有用说法是”物理定律不会仅仅因为你没注意它而不起作用”。许多压力机制被轻易地忽视。
任何设计海洋环境下使用的电子产品的人，都会考虑盐雾和 湿度—这是理所应当的，因为它们太可怕了！其实，许多电子设备都可能遭遇不那么可怕，但仍可能造成伤害的化学挑战。人（和动物）的呼吸含有湿气，而且略呈酸性。厨房和其他家居环境包含各类轻度腐蚀性烟雾，如漂白剂、消毒剂、各类烹饪烟雾、油和酒精等，所有这些烟雾的危害都不是很大，但我们不应想当然地认为，我们的电路会在受到完好保护的条件下”安度终生”。设计人员务必要考虑电路会遇到的环境挑战，在经济可行的情况下，应当通过设计来将任何潜在危害降至最小
静电损害(ESD)是一种压力机制，与此相关的警告是最常见的，但我们往往视而不见。PCB在生产时，工厂会采取充分措施来消除制造过程中的ESD，但交付后，许多PCB被用在对一般操作引起的ESD没有足够防护措施的系统中。做好充足的防护并不难，只是会增加少许成本，因而常常遭到忽略。（可能是因为经济不景气）。在正常使用的最极端情况下评估系统电子器件需要何种ESD保护并考虑如何实现，应当成为所有设计的一部分。
另一个因素是过压。很少有人要求半导体或电容即使遭受重大过压也无恙，但大值电阻遇到远大于数据手册所列绝对最大值的电压是常见现象。问题在于：虽然其阻值足够高，不会变热，但内部可能产生微小电弧，导致其缓慢漂移而偏离规格，最终短路。大的绕线电阻通常具有数百伏的击穿电压，因此，过去这个问题并不常见，但如今广泛使用小型表贴电阻，其击穿电压可能低于30 V，相当容易受过压影响。
大电流也会造成问题。大家都很熟悉普通保险丝—它是一段导线，如有过大电流流经其中，它就会变热并熔断，从而防止电源短路及其他类似问题。但是，若在非常小的导体中有极高的电流密度，导体可能不会变得非常热，不过最终仍可能失效。原因是所谓的电迁移3（有时也称为离子迁移）。即导电电子与扩散金属原子之间的动量传递导致导体中的离子逐渐运动，引起物质运输效应。这使得携带大直流电流的薄导体随着时间推移而变得越来越薄，最终失效
但有些部分会像保险丝一样失效，即熔断，比如导线或半导体芯片上的导电走线。大电流造成这种现象的一个常见原因是电容充电电流太大。考虑一个ESR为1 Ω的1 μF电容，如果将它连接在110 V、60 Hz交流电源上，则有大约41 mA的交流电流流经其中。但如果在电压处于最大值(110√2 = 155.6 V)时连接到交流电源，则只有ESR会限流，峰值电流将达到155.6 A，尽管其持续时间不到1 μs，也足以损坏许多小信号半导体器件。重复发生浪涌可能会损坏电容本身，尤其是电解电容。在用于给小型电子设备充电的廉价低压开关电源（”壁式电源适配器”）中，这是特别常见的失效机制。如果在一个交流周期的错误时间插入，整流器和电容就会携带非常大的浪涌电流，这种情况若多次发生，最终可能会损坏器件。用一个小电阻与整流器串联，可以限制此浪涌电流，使问题最小化。
如果我们很幸运，ESD或过压/过流事件会立即损坏器件，这样很容易知道问题所在。但更常见的情况是，压力引起的损害导致器件失效，而最开始引发故障的压力早已消失。要诊断此类失效的原因是非常困难的，甚至是不可能的。
无论设计什么电路，都有必要考虑所用器件的工作寿命和失效机制，以及在容许的最极端使用条件下，是否有任何潜在问题或压力源会导致器件受损。任何此类问题都应当考虑，并尽可能在最终设计中予以最小化。
原文链接：https://zhuanlan.zhihu.com/p/57385573
由于最近在做这方面的事情，所以想跟大家一起来学习下，电子元器件失效状况的分析，其实我们在工作中都会遇到有元器件失效的情况，一般需要借助相关工具或者仪器设备来分析，很多时候，我们遇到类似的情况时，有可能就把不良元件扔到垃圾桶了，今天我就跟大家来一起学习下，为什么要做元件失效分析以及探讨下大家一般遇到类似情况下会怎么做？
一.失效分析的目的和意义 失效分析的目的是借助各种测试分析技术和分析程序确认电子元器件的失效现象，分辨其失效模式和失效机理，并最终确认其失效原因，并提出改善设计和制造工艺的建议，防止失效的重复出现，提高元器件的可靠性，失效分析是产品可靠性工程中一个重要组成部分。 一般电子产品在研发阶段，失效分析可纠正设计和研发阶段的错误，缩短研发周期，在产品生产、测试和使用时期，失效分析可找出元件的失效原因与引起元件失效的责任方，并根据失效分析结果，改进设计，并完善产品，提高整机的成品良率和可靠性有重要意义。
二.失效分析的基本内容 对于电子元件失效原因过程的诊断过程叫做失效分析，但是我们在进行失效分析的过程中，往往需要借助仪器设备，以及化学类手段进行分析，失效分析的主要内容包括：明确分析对象，确认失效模式，判断失效原因，研究失效机理，提出改善预防措施。
1.明确分析对象 失效分析首先要确认分析对象及失效发生的背景，在对失效产品的分析前需先了解失效发生时的情况，并确定在那个环节发生失效，如可能的话，最好是能详细描述失效时的现象以及失效发生前后的变化，并确认产品是否真的失效，就像我们的产品在实验室做实验时，总会有不良状况存在，只是我们在分析之前需要先了解产品具体发生失效的测试项目，具体在那个测试项目中发生失效，失效现象是怎么样的。
2.确认失效模式 失效的表面现象或失效的表现形式就是失效模式，失效模式的确定通常采用两种方式（这里只讲元件的）电气测试和显微镜观察，根据测试，观察到的现象与效应进行初步分析，确定出现这些现象的可能的原因，或者与失效样品的那一部分有关联，通过外观检查，观察样品外观标志是否完整，是否存在机械损伤，是否有腐蚀痕迹等，通过电气测试判断其电气参数是否与原数据是否相符，分析失效的现象可能与失效产品哪一部分有关。
3.判断失效原因 根据失效模式、失效元件材料性质、制造工艺和制造经验，结合观察到的失效的位置的大小，颜色，化学组成，物理结构，物理特性等因素，参照失效发生的阶段，失效发生的应力条件和环境条件，提出可能导致失效的原因。失效的原因可能由一系列的原因造成，如设计缺陷，材料质量问题，制程问题，运输和储藏问题，以及操作过载等。
4.研究失效机理 在确认失效机理时，需要选用有关分析，试验和对观测设备对失效样品进行分析，验证失效原因的判断是否属实，并且能够把整个失效的顺序与症状对照起来，也可以使用合格元件进行类似模拟破坏性试验，并看能不能产生相似的失效现象，通过反复验证，确认失效的真实原因所在。
5.提出预防措施及设计改进方法 根据分析判断，提出消除产生失效的办法和建议，及时的反馈到设计，工艺，使用者等各方面，以便控制以及杜绝失效现象的再次出现，一般需要大家对元件的材料，工艺，电路设计，结构设计，筛选方法和条件，使用方法和条件，质量控制等方面有相当强的了解。
三.失效分析要求 现在科技发展迅速，电子产品越来越小型化，复杂化，系统化，其他的功能越来越强大，集成度越来越高，体积越来越小，所以对于失效元件分析的要求越来越高，用于分析的失效的新技术，新方法，新设备越来越多，在实际的失效分析过程中，遇到的失效情况各不相同，可以根据失效分析的目的与实际，选择合适的分析技术与方法，要做到模式准确，原因明确，机理清楚，措施得力，模拟再现，举一反三。
1.模式准确 失效模式指的是失效外在直观失效变现形式和过程规律，通常指测试或观察到失效现象，失效形式，如开路，短路，参数漂移，功能失效等，需要我们做到的是将失效类型与失效性质判断准确，失效模式判断应先从失效的环境入手，失效的环境反应了失效的外部环境，对确定失效的责任方有重要意义，失效环境包括：温度，湿度，电源环境，元器件在电路图的位置，作用，工作条件和偏置状况。失效应力包括：电应力，温度应力，机械应力，气候应力和辐射应力，如样品经可靠性试验而失效，需要了解样品经受试验应力种类和时间。失效发生期包括，失效样品的经历和失效时间，失效发生阶段，如研发，生产，测试，试验，储存，使用等。通常情况下，失效分析前需要先做电测，并针对失效样品与正常样品进行数据比对，并查看同一测试条件的情况下，数据的不同之处。
2.失效原因明确 失效原因的判断通常是整个失效分析的核心和关键，对于确定失效机理，提出预防措施等均具有重要意义，失效原因通常是指造成电子元件失效的直接关键性因素，其判断建立在失效模式判断的基础上，通过失效原因的分析判断，确定造成失效的直接关键因素处于设计，材料，制造工艺，使用环境，失效现场数据为确定电子元件失效原因提供重要依据，失效可分为早期失效，随机失效和磨损失效，早期失效是由工艺缺陷，原材料缺陷，筛选遗漏引起，随机失效是由整机开关的浪涌电流，静电放电，过电损伤等，磨损失效主要由电子元件的自然老化引起。
3.分析到位，措施得力，模拟再现 失效分析是一个复杂，综合性强的过程，不仅仅是需要失效工程师的分析，而且需要设计工程师，制造工程师的密切配合，其实为了得到合适的失效分析结果，需要具备几个基本知识，保护实物证据，避免过多的加电测试，保证失效元器件在到达失效分析工程师手中时不受损伤，制定分析方案，确定失效现象等。
四.主要失效模式及其分布
五.主要的失效的原因和定义 主要的失效原因是物理与化学的过程，可能是设计上的弱点或者是制造工艺中形成的潜在缺陷，在某种应力作用下发生失效。
1.机械损伤 机械损伤在电子元件制备电极及电极系统工艺中经常出现，如果在成品中，存在金属膜划伤缺陷而未被剔除，则划伤缺陷将是元器件潜在的失效因素，必将影响器件的长期可靠性。
2.结穿刺 结穿刺是指PN结界面处于一导电物所穿透，结穿刺通常导致PN结短路失效。
3.金属化电迁移 当元件在工作时，在电流的作用下，金属离子沿导体移动，导体内部某一部位出现空洞，这就是电迁移，产生电迁移的内在因素为薄膜导体内部结构的非均匀化，外部因素为电流密度。
4.表面离子沾污 电子元件在制造过程和使用过程中，因芯片表面沾污了湿气和导电物质，或由于辐射电离，静电荷积累等因素影响，在器件内部氧化层表面产生正离子和负离子，在偏压的作用下能沿表面移动，正离子聚集在负电极周围，负离子聚集在正电极周围，沾污严重时足以使芯片发生改变，引起表面漏电，击穿，表面离子沾污还会引起金属腐蚀，使的电极和封装系统发生生锈、断裂。
5.银迁移 在电子元件储存过程及使用中，空气中存在湿气，水分，导致其相对活泼的金属银离子发生迁移，导致短路，耐压劣化，绝缘性能变差等失效。
6.过电应力 电子元件在其参数指标中设定了使用时所承载的最大应力，包括最高环境温度，最大额定功率，最大工作电压、电流、峰值电压、最大输入、输出电流/电压等，如果在使用过程中，所加的电应力超过元件的最大应力，即使是瞬间通过，也会对元件造成损伤，一般过电应力分为过电压和过电流两种，在过电应力作用下，电子元件局部形成热点，当温度达到材料熔点时，会造成材料熔化，形成开路或者短路，导致元件失效。
7.静电损伤 静电失效分为两种，潜在性失效和突发性失效，潜在性失效是指静电的放电能量比较低，仅仅局限于元件内部轻微损伤，放电后元件参数变化不大，但元件的抗过电压能力已经下降，使用寿命缩短，经过一段工作时间后就会再次出现失效，而突发性失效是指元件在静电放电损伤后，突然出现开路、短路或者参数漂移，这类表现明显，也比较容易被发现。 对于电子材料来讲，静电分为过电压场和过电流热，过电压场指的是高阻抗的静电放电回路中，绝缘介质两端电极受到高静电放电电荷而呈现高电压，有可能使电极之间的电场超过其介质临界击穿电场，使得电极之间介质发生击穿失效，过电压场失效多发于MOS元器件以及双极性电路和混合电路。过电流热失效指的是在较低阻抗的放电回路中，由于静电放电电流过大，使局部区域温度温升超过材料熔点温度，导致材料发生局部熔融是元器件失效，过电流热致失效多发生在双极性元件，包括输入用PN结保护的MOS电路，肖特基二极管以及含有双极性元件的混合电路。
六.失效分析的主要顺序 失效分析原则是先进行非破坏性分析，后进行破坏性分析，先外部分析，后解剖分析，先了解失效的有关情况，比如说设计线路，应力条件，失效现象，后分析元器件。
1.失效环境的了解 ①产品数据、存货量和储存条件。 ②工艺过程、外场使用情况与失效日期。 ③产品在制造和装配工艺过程中的工艺条件、交货日期、条件和可接受的检查结果，装配条件和相同失效的有关记录。 ④电路条件、热/机械应力、操作环境，温/湿度，室内/外，失效前发生的操作。 ⑤失效类型，特性变化，完全失效或间歇性失效，失效比例和批次情况，失效的处于何种现象，无功能、参数漂移、开路、短路。
2.失效样品的保护 由于机械损伤和环境腐蚀引起失效的结果，必须对元器件进行拍照保存其原始形貌，必须保证样品在传递和存放过程中，不受环境、电和机械应力的再一次损伤。
3.失效分析方案设计 失效方案设计的目的是为了有顺序的选择试验项目，避免盲目性，避免失误和覆盖有关痕迹，可以节省时间，以便快速准确的找到失效的原因。
4.外观检查 外观检查需要通过肉眼来对失效元件与正常元件的差异，需要看失效元件上是否由灰尘、水迹、油迹、焊料痕迹、或者其他液体沾污，引起互连劣化和漏电，管脚有没有氧化、硫化和缺陷，或者由压力引起的引线断开、机械引线损坏、封装裂缝等。
5.电气检测 1.电特性测试，通过对失效元件电特性测试后，用来确定失效模式。 2.直流特性测试，通过仪器设备来测试样品的直流特性，大规模集成电路中，寄生二极管的存在使电流的漂移跟不上等效电路的变化，测试需要参照合格品来测试。 3.失效模拟测试，如果在电特性与直流特性检测不出来的情况下，需要进行使用条件的失效模拟测试。
6.应力试验分析 元件失效一般与应力有关，包括温度，电压、电流、功率、湿度、机械振动、冲击、热冲击、温度循环等，可以通过应力试验评估产品的失效应力分布，确定产品的失效应力范围。
7.故障模拟分析 一般模拟分析包含 模拟应用分析，全温度参数测试，瞬时短路、断路的试验分析，高温和高湿电偏置试验。
8.内部分析 分为非破坏性的内部分析和破坏性分析，内部分析包含X射线检查，声学扫描检查，残留气体检查，密封性检查，破坏性检查包含开封，失效点定位，芯片钝化层去除，物理分析，杂质和合成物分析。
9.纠正措施 根据失效分析结果，提出防止再次发生失效的措施与建议。
10.结果验证 失效结果正确与否，在实际应用中会得到验证，有利于采取有效措施防止类似失效再次发生，提高元件可靠性。
七.实例 一般集成封装器件，主要的失效模式和相关的失效机理如下：
1.开路 (EOS、ESD、电迁移、应力迁移、腐蚀、键合点脱落、机械应力、热变应力)
2.短路（PN结缺陷、PN结穿钉、EOS、介质击穿、金属迁移）
3.参漂（氧化层电荷、表面离子、芯片裂纹、热载流子、辐射损伤）
4.功能失效（EOS、ESD） 实例一 浪涌损坏 样品为整流桥，在实验室做实验过程中，突然失效，有输入没输出，属于功能失效，主要原因是，浪涌损坏，主要是过大的电源电压使器件发生击穿，形成短路，造成大电流，导致整流桥内部电流过大，导致整流桥损坏。
八.控制失效模式的措施 一般造成失效最常见的原因是过电应力失效，具体包括过电压，过电流，浪涌及静电损伤，要避免与控制过电应力失效，需要从以下几个方面改进：
①.尽可能的了解器件的抗过电应力，如抗过静电损伤能力，工作极限电压，工作极限电流，最高工作温度等，可以从规格书或者供应商处得到相关技术指标，也可抽样按照相关标准检测，例如抗静电能力的评价试验，只有知道相关的能力参数才能在使用过程中，采取针对性设计和防护措施，在条件允许的情况下，尽可能选择抗过电应力强的器件。
②.电路设计时，在满足功能要求外，还须针对抗过电应力进行相关的可靠性设计，满足一定的可靠性设计，如在接口处设计静电保护设计，电源端的抗过压设计，以及抗浪涌设计，设计完成的电路应进行相关的抗过电能力评价试验，以便及时的修改设计，提高最终电路的抗过电应力的能力。
③.浪涌，浪涌指的是电瞬变的过电应力的一种，虽平均功率小，但瞬时功率很大，并且电浪涌的出现时随机的，对电路中元件危害很大，所以在电路中，需要使用过流保护和过压保护器件，提供过压过流保护，防止电浪涌损伤元件。
④.器件的降额使用，在我们选取设计中，首先应考虑元件的降额使用，并考虑到相关器件的散热问题，同时在功能允许条件下，减少电路的输入和输出负荷，降低其工作频率以减少功耗。
⑤.所有器件及线路板禁止带电插拔，对使用人员进行静电知识有关培训与考核，建立完整的防静电控制程序，从包装、运输等环节，消除一切可能产生静电的事物，地板，测试仪器，PCB周转箱，库房等均为防静电设计，保持室内空气的一定湿度，防止静电在设备和身体上的大量累积，各种塑料和橡胶制品容易产生静电，要避免使用，不能用尼龙的化纤制品，防止摩擦带电。
⑥.遵守使用规程，确保使用可靠性，如加电次序，不应带电操作等。
九 一般塑封器件分层预防措施 塑封料和芯片及基板的分层也是导致塑封器件，尤其是表面贴片元件失效的常见原因，具体措施如下：
①.先了解塑封器件的回流焊耐湿敏等级，可以从厂商处处于相关的技术指标，也可按照国际相关标准进行试验评定。
②.根据湿敏等级，对塑封器件存放的环境温湿度进行相应控制，并在回流焊过程中选择适当的温变速率和温变范围，避免和控制塑封器件可能发生的分层现象。
③.对存放时间和温湿度环境超过敏感度等级标准的塑封集成电路，在回流焊工艺之前应进行适当的高温烘烤，以排除可能吸附湿气，防止或控制回流焊过程中塑封料和芯片及基板之间有分层现象。
十.工艺质量的控制措施
①.首先要选择合格的供应商，要求供应商的生产工艺和产品的质量水平要达到一定的要求，并要求提供相关的工艺控制与产品质量的统计数据。
②.对每种型号批次都应进行质量检验或者甄别，需要做一些相关的测试，常温性能测试，高温储存，温度循环，功率老化等。
③.对于每种型号批次应抽样进行破坏性试验，通过简便的技术手段快速有效的发现批次性工艺缺陷。
现在国内各地都有对外服务的第三方实验室，如果自己单位没有设备可以去外面测试
电迁移（英语：Electromigration）是由于通电导体内的电子运动，把它们的动能传递给导体的金属离子，使离子朝电场反方向运动而逐渐迁移，导致导体的原子扩散、损失的一种现象。电迁移是金属线在电流和温度作用下产生的金属迁移现象，它可能使金属线断裂，从而影响芯片的正常工作。电迁移在高电流密度和高频率变化的连线上比较容易产生，如电源、时钟线等。为了避免电迁移效应，可以增加连线的宽度，以保证通过连线的电流密度小于一个确定的值。电源网格中的大电流也会引起电迁移(EMI)效应，在芯片的正常寿命时间内会引起电源网格的金属线性能劣化。这些不良效应最终将造成代价不菲的现场故障和严重的产品可靠性问题。
电迁移（EM）是一种分子位移，是由于导电电子和离子在一段时间内的动量转移而引起的。当电流密度较高时会发生这种现象，这会导致金属离子向电子流方向漂移。·EM通常发生在现场设备部署多年之后。由于电迁移效应，金属线可能会爆裂并短路。EM会增加导线电阻，这会导致电压下降，从而导致设备降速。由于短路或开路，它还可能导致电路永久性故障。
调整了网站的部分内容，修改iNove的sidebar.php: 去掉了“订阅”、“最新回复”以及“链接站点”区域。在footer.php中将年份从2016修改为2018。
很久没有研究操作系统，最近要写一个工具屡屡发现问题，后来才发现是firewall和SELinux的配置问题。参考了这篇文章，关闭了防火墙和SElinux后解决问题。